在计算机处理信息的过程，对大量信息进行暂存或保存的器件是存储器。通常分为内存器和外存储器两大类。

具体区分及特点如下图：

存储容量：也就是要有效容纳信息的总量，是存储器的一个主要技术指标。存储器容量的基本单位是字节（简写为B）。字节由8个二进制位（bit，简写为b）构成。比字节大的单位依次为千字节（KB）、兆字节（MB）和吉字节（GB）等。每级间的扩展倍率是1024倍。

以下是各存储器容量单位的换算关系：

1 Byte = 8Bit

1 KB （Kilo Byte）=2^10Byte = 1024 Byte

1 MB （Mega Byte）=2^20Byte = 1024K Byte

1 GB （Giga Byte）=2^30Byte = 1024M Byte

1 TB （Tera Byte）=2^40Byte = 1024G Byte

1 PB （PetaByte） =2^50Byte = 1024 T Byte

1 EB （ExaByte） = 2^60Byte = 1024 PetaByte

1 ZB （ZettaByte）=2^70Byte = 1024 ExaByte

1 YB （YottaByte）=2^80Byte = 1024 ZettaByte

值得注意，随机存储器RAM还可以分为动态随机存取存储器DRAM和静态随机存取存储器SRAM，动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。

相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。 与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个比特通常需要六个晶体管。正因这缘故，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。 与大部分的随机存取存储器（RAM）一样，由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器（volatile memory）设备。